一、事件概述
10 月29 日，公司发布三季报：1-9 月营收22 亿元，同比增长28%，归母净利润4.5 亿元，同比增长22%，扣非后归母净利润3.9 亿元，同比增长15%；经营活动现金流净额7 亿元，同比增长133%。
二、分析与判断
Q3 业绩超预期，经营持续改善
Q3 业绩超过我们之前的判断。Q3 单季营收10 亿元，同比增长63%，环比增长34%，归母净利润2.6 亿元，同比增长98%，环比增长77%。Q3 单季毛利率40.6%，同比+1.3pct，环比+3.1pct；Q3 单季净利率26.1%，同比+4.7pct，环比+6.3pct。业绩增长主要受益于：下游需求旺盛，工艺和产品优化，毛利率同比环比大幅提升；规模效应持续显现，盈利能力持续提升。
NOR Flash 持续高景气，受益TWS+5G 需求拉动本轮Nor Flash 景气周期主要由TWS 耳机、物联网、5G 基站等需求拉动，代工厂产能紧张，持续供不应求。公司持续推出256Mb、512Mb 大容量产品，工艺制程持续优化，在消费电子、工控、汽车电子等领域取得重要突破。Nand Flash在38nm SLC 产品上已实现量产，中小容量Nand Flash 和eMMC产品持续推出。
DRAM 进展超预期，拟定增加码DRAM
合肥长鑫第一代8Gb DDR4 DRAM 超预期提前投产，产品通过国内外大客户验证。公司拟定增不超过43.24 亿元，投向DRAM 芯片研发及产业化项目，重点研发1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的 DRAM 技术，计划开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。公司已实现存储芯片全产品线布局，定增将研发先进制程DRAM，有望填补国内空白，打开长线成长空间。
思立微取得重要突破，MCU 国产替代加速
思立微在品牌手机客户已经量产出货，Q4 有望环比改善，5G 超薄指纹方案已经成熟。Q3 单季MCU 同比环比明显改善，持续推出多系列、高性价比的产品，受益国产替代趋势。
三、投资建议
公司是全球领先的存储器芯片及MCU 供应商，受益半导体自主可控趋势，同时是国家存储芯片战略平台之一。由于NOR Flash 供不应求、公司切入国际大客户、芯片国产替代加速，考虑收购上海思立微的影响，预计19/20/21 年EPS 分别为2.20/3.34/4.21 元，对应PE 分别为66X/43X/34X。参考SW 半导体行业PE 估值为162 倍，维持“推荐”评级。
四、风险提示：
1、晶圆等原材料价格波动；2、存储芯片降价；3、DRAM 产能爬坡不及预期。