公司公告拟增加IGBT 项目实施主体，拟与国网全资子公司联研院投资设立合资公司，双方联合技术积累与资金优势，推动高压IGBT（电网侧）产品国产化进程，掌握电网发展核心元器件技术，加速国产化替代过程。我们维持公司2019-2021 年EPS 预测1.02/1.17/1.32 元，考虑泛在网建设带动行业业态升级对公司信息化电网龙头的拉动作用，给予公司2020 年合理估值25x PE，维持“买入”评级。
IGBT 项目实施迎重大进展，国网联研院技术出资设合资公司。公司发布IGBT募投项目增加实施主体暨对外关联投资公告，公司拟与控股股东国家电网的全资子公司全球能源互联网研究院有限公司（联研院），共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司（拟），注册资本8 亿元，公司拟以“IGBT 模块产业化项目”投资额的33.98%，即5.59 亿元出资参投合资公司，占合资公司69.83%的股权，联研院以技术作价2.41 亿元（共12 项IGBT 专利及专有技术，已经资产评估），股权占比30.17%。
电网侧聚焦高压IGBT，产品进口依赖大。高压IGBT 产品下游应用主要包括电网、轨交、风力发电等领域，功率半导体器件作为用能领域的“CPU”，不仅孕育数十亿量级的需求空间，同时也是国内高端制造领域亟待突破的核心元器件。电网侧柔性直流技术未来应用需求空间较大，当前时点ABB 作为全球高功率IGBT 市场的领导者，其产能及技术限制，均对电网侧未来发展形成了一定的影响，电网侧急需具备成熟技术设计能力、良品率稳定的IGBT 产能。在此背景下，公司执行“IGBT 模块产业化项目”，项目投资总额为16.44 亿元，建设期42 个月。
联研院深耕IGBT 研究多年，双方合作融合技术、资金优势。联研院自2010 年起开始研究功率半导体器件，结合公告披露及官网信息，联研院目前拥有超100人的技术团队、先进的功率器件中试线，具备芯片背面制造等12 项IGBT 专利技术，已研发产品包括1200-4500V IGBT/FRD、1200-6500V SiC 二极管样品，掌握功率器件芯片设计与光刻、注入、钝化、封装等关键工艺与技术，开发出具有完全自主知识产权的硅基IGBT 焊接模块及压接模块。IGBT 作为高技术壁垒、高资本开支、长研发周期的产品，国内开发进展较慢。电网侧建设需求的迫切性下，本次合作以联研院的技术积累，融合作为国网系上市主体的公司所具备的资金优势，将有望加速公司IGBT 项目的推进速度。
风险因素：电网投资大幅不及预期，泛在电力物联网建设不及预期，特高压核准不及预期。
投资建议：泛在电力物联网建设逐步落地，2020 年全面铺开在望。行业业态升级背景下，公司作为电网信息化龙头，深度参与泛在网建设，价值有望迎来重估。我们维持公司2019-2021 年EPS 预测分别为1.02/1.17/1.32 元，当前股价对应PE 为21x/19x/17x，预计公司2020 年合理估值有望上修至25x PE，对应目标市值1350-1400 亿元，维持“买入”评级。