存储芯片行业周度跟踪：NAND大厂或减产稳价，存储现货行情平稳

　　核心观点

　　NAND：NAND闪存过剩，三星、SK海力士、美光等制造商计划2025年减产以稳定价格。根据DRAMexchange，上周（20250120-0124）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.23%至2.50%，平均涨跌幅为0.42%。其中10个料号价格持平，9个料号价格上涨，3个料号价格下跌。根据科创板日报援引TechPowerup报道，如今全球NAND闪存持续供过于求，相应市场面临严峻挑战，除了企业级SSD有动能支撑外，其他终端产品销量均普遍不如预期，供货商库存持续上升，订单需求下降。三星、SK海力士、铠侠、美光均已开始研究NAND闪存减产计划，从而缓解供需失衡并稳定价格，预计相关厂商计划会按照市场实际情况分阶段进行。DRAM:南亚科预计DRAM市场第2季开始复苏。根据DRAMexchange，上周（20250120-0124）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.07%至1.36%，平均涨跌幅为0.09%。上周8个料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。南亚科技总经理李培瑛表示，随着区域经济体发布刺激方案，客户态度已转趋积极，预计DRAM市场可望于第2季开始复苏。

　　HBM：美光台湾2025年将量产1γ制程，HBM4或于2026年量产。根据CFM闪存市场报道，台湾美光董事长卢东晖表示，美光在台湾地区投资满30年，至2024年美光累积在台湾投资新台币1.1兆元。受惠AI需求畅旺，以及看好台湾地区优势，美光最先进制程将在台量产，2025年1-Beta产能将持续拉升，先进制程预计2025年将推进至1γ制程，而新一代高频宽记忆体(HBM4)预计2026年量产。

　　市场端：整体存储现货行情普遍维持平稳。根据CFM闪存市场报道，存储市场普遍进入休整期，整体交易相对寡淡，本周存储现货市场普遍以平稳度过为主。2024年三季度以来，虽存储原厂为应对部分应用市场供应过剩已积极实施转产和减产举措，但目前整体上存储市场仍处于供需失衡状态，而存储价格也从2024年四季度起，除AI服务器外的应用市场外普遍走跌，行情的转变正逐渐传导并反映至存储原厂和国内外存储品牌厂商的业绩当中。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。