事件:9月20日,长鑫存储动态随机存取存储芯片(DRAM)项目投产。经客户验证,长鑫存储10纳米级第一代8Gb DDR4 DRAM产品性能达标,预计今年底,首批芯片将会送到客户手中;9月21日,总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目在合肥签约,其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元。
国产半导体关键一步,存储器量产补足产业短板。存储器是半导体最大的细分领域,占比约35%。而DRAM占据存储器市场50%以上,是半导体的核心产品,也是半导体国产化的关键。合肥长鑫的顺利投产,意味着国内在DRAM领域实现从0到1的突破,意义重大。长鑫存储项目一期设计产能12万片/月,三期满产后产能将达到36万片/月,仅次于三星、海力士和镁光,有力突破三家巨头的垄断。另一方面,长鑫作为国内存储器龙头企业,将带动配套的上游设备及原材料企业迅速成长,相关供应商迎来重大发展机遇。
扩展存储版图,兆易“控制+传感”生态系统逐步成型。公司立足Nor存储领域,纵向扩张Nand、DRAM,从代码存储进入数据存储;横向切入微控制领域,打造百货商店式MCU产品体系;横向收购思立微(今年5月31日并表),进入基于触控和指纹识别的传感器领域,短期受益于手机光学指纹识别爆发,长期与现有存储、MCU业务形成合力,构筑“控制+传感”生态系统。公司前瞻的业务布局契合物联网时代万物互联、边缘存储、边缘控制的需求,具备物联网硬件一站式供应能力,而DRAM存储一环即将合上,未来成长潜力无限。具体与长鑫的合作模式来看,2019 年4月26日,公司与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》,约定以可转股债权方式投资3 亿元,后续出资方案也将陆续落地。与长鑫的合作具备灵活性,在不损害上市公司股东利益的前提下,充分享受DRAM量产给公司带来的正面效益。
Nor存储器需求旺盛,公司业绩迎来反转。在Norflash领域,公司是全球市场排名第四,SPI nor排名第三,具备相当的竞争实力。从公司二季度经营情况以及竞争对手华邦、旺宏月度经营数据来看,Norflash行业已经触底反弹。随着下游物联网、汽车及可穿戴产品的旺盛需求带动Norflash市场规模持续扩大,公司将持续受益。我们看好公司主业Norflash复苏带来的业绩反转。长期来看,终端需求转移带来的半导体芯片国产化趋势不可阻挡,我们认为公司在Norflash领域的竞争优势将得到加强,市场份额将持续提升。
维持“买入”评级。长鑫项目暂不会对公司业绩带来影响,仅考虑公司主业及思立微并表,我们预计公司2019~2021年营收分别为28.33亿/36.67亿/44.72亿,归母净利润为5.02亿/6.69亿/8.28亿。对应PE为105/79/64,看好公司长期发展潜力,维持买入评级。
风险提示事件:长鑫存储后续客户验证及投产不及预期;存储器需求持续低迷;思立微客户开拓不及预期;MCU业务拓展不及预期。