合肥长鑫超预期提前投产
此前市场预期合肥长鑫于Q4才能实现量产,但9月20日,长鑫12寸存储内存芯片自主制造项目宣布投产,首次亮相产品是与国际主流DRAM产品同步的第一代8Gb DDR4,产品已通过国内外大客户验证,今年底正式交付。
长鑫将成为中国存储代工主力
长鑫12寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元,共分三期进行,一期设计产能12万片/月,三期满产后产能可达到36万片/月。DRAM占存储器市场份额的56%,1000亿美金市场,中国是全球最大市场,但95%份额被三星、海力士、美光占据,长鑫DRAM项目投产标志着我国拥有战略性元器件DRAM的自主生产能力。
长鑫为兆易发展提供重要助力
合肥长鑫由合肥产投与兆易创新共同出资组建,兆易董事长朱一明亦是合肥长鑫的董事长兼首席执行官,长鑫DRAM产品的投产将和兆易flash产品形成双剑合璧,从25亿美金的Nor进入1000亿美金的DRAM市场。
投资建议
公司是全球领先的存储器芯片及MCU供应商,受益半导体自主可控趋势,同时是国家存储芯片战略平台之一。由于NOR Flash供不应求、公司切入国际大客户、芯片国产替代加速,考虑收购上海思立微的影响,我们上修公司业绩,预计19/20/21年EPS分别为2.20/3.34/4.21元,对应PE分别为74X/49X/39X。参考SW半导体行业PE估值为179倍,维持“推荐”评级。
风险提示:
1、晶圆等原材料价格波动;2、存储芯片降价;3、DRAM产能爬坡不及预期。