事项
研发成果取得新突破,发布SiC 新产品。公司发布SiC 新产品,SiC JBS第二代产品击穿电压为650V 和1200V,导通电流为2A-50A,漏电流为100uA,技术达到国际领先水平;SiC MOS 产品击穿电压为1200V,导通电流为10A-120A,导通电阻为15mR-300mR。
公司IGBT 产品制造工艺技术全面升级,性能参数对标国外。据公司2020H1 财报披露,公司 IGBT 通过6 吋平台产品技术升级,实现芯片面积缩小。同时,公司制造工艺技术全面提升至 8 吋,自主研发的8吋650V、1200V IGBT 工艺平台已建立完成。公司生产的1200V 40AFS-IGBT 产品在工业领域实现量产;新一代的 650V 40A FS-IGBT 样品技术参数达到国外对标产品水平,已送样给客户进行评估。
IGBT 产品下游应用领域拓展,收入逐渐放量。依托持续的技术升级,公司生产的IGBT 产品目前具有了以下特点:1)采用 Trench-FS 工艺及超薄晶圆加工技术;2)导通电压低、开关损耗小;3)可靠性高、适用性强。在此基础上,公司通过IGBT 芯片模块化,进一步延伸下游产业链,提高产品在成熟应用领域的竞争力,目前已成功向工业、白电领域拓展,2021 上半年IGBT 产品收入同比增长94%。
【评论】
前瞻布局SiC,覆盖功率器件行业齐全。公司前瞻性的布局SiC 器件,SiC 二极管方面,公司于2020 年7 月宣布建成国内首条6 吋SiC 商用生产线并正式投产,目前生产的SiC JBS 产品系列覆盖650V、1200V,主要应用于光伏逆变器、通讯电源、服务器和储能设备等领域。公司自主研发的新一代SiC JBS 综合性能指标达到业界先进水平,多款产品实现量产。2021 年公司持续推出新产品,继续拓展SiC 领域,填补覆盖的空白。
盈利预测。公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的半导体企业,产品覆盖齐全,我们预计随着公司产能持续扩张,SiC 和IGBT 技术持续突破,业绩或将实现稳定增长。预计公司2021-2023 年营收为93.1/109.9/127.5 亿元,归母净利润为22.3/25.6/29.2 亿元,EPS 为1.83/2.11/2.40 元/股,对应当前股价的PE 为34.35/29.92/26.25 倍,重新覆盖,给予公司“增持”评级。
【风险提示】
SiC 技术突破不及预期,产能扩张不及预期,行业竞争加剧。